消息称三星 (SSNLF)正在研发3D垂直堆叠GAA晶体管架构
2023-07-27 17:54:42
来源：股票牛
【资料图】
据报道，三星(SSNLF)设备解决方案部门正在研发3D垂直堆叠GAA(全环绕栅极)晶体管架构，其名为“3DSFET”。三星去年已量产采用GAA架构的3nm工艺，其为2D结构，而三星将垂直堆叠3D结构视为下一代GAA技术，目标尽可能减少芯片单元之间的电磁干扰，并在更小的空间内集成更多晶体管。
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